N-kanavainen MOSFET-transistori STP6NK90ZFP

Tuotetiedot:

HUOM! Vain 7 kappaletta hyllyssä! Kysy jos haluat enemmän!

N-kanavainen MDmesh™ SuperMESH™, 700–1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistori

Tekniset tiedot

Kanavan tyyppi: N
Suurin jatkuva tyhjennysvirta: 5,8A
Suurin tyhjennyslähteen jännite: 900 V
Pin Count: 3
Suurin tyhjennyslähteen vastus: 2 Oh
Kanavatila: Tehostaminen
Suurin portin kynnysjännite: 4,5V
Vähimmäisportin kynnysjännite: 3V
Suurin tehohäviö: 30W
Transistorin kokoonpano: Yksittäinen
Suurin portin lähteen jännite: -30V, +30V
Maksimi käyttölämpötila: +150 °C
Minimi käyttölämpötila: -55 °C
Pituus: 10,4mm
Leveys: 4,6mm
Korkeus: 9,3mm