IRF840 Mosfet N 500V, 8A 125W – TO220

IRF840

500V N-kanavainen Power MOSFET, kolmannen sukupolven HEXFET® power MOSFET tarjoaa suunnittelijalle parhaan yhdistelmän nopeaa kytkentää, kestävää laitesuunnittelua ja alhaista ON-resistanssia. Pakkaus on yleisesti suosittu kaikissa kaupallis-teollisissa sovelluksissa tehojen hajaantumistasoille noin 50W asti.

• Dynaaminen dV/dt-luokitus
• Toistuva lumivyöryarvioitu
• 175°C Käyttölämpötila
• Helppo rinnakkaiskytkentä
• Yksinkertaiset ajo-vaatimukset

Tuotetiedot

• Kanavatyyppi: N-kanava
• Lähteen ja viemärin jännite Vds: 500V
• Jatkuva viemärivirta Id: 8A
• Lähteen ja viemärin päällä oleva resistanssi: 0.85ohm
• Transistorin kotelotyyli: TO-220AB
• Transistorin asennus: Läpivienti
• Rds(on) Testijännite: 10V
• Portin ja lähteen kynnysjännite Max: 4V
• Tehon hajaantuminen: 125W
• Pinien määrä: 3Pin
• Käyttölämpötila Max: 150°C