Mosfet IRF730 – N 400V, 5.5A – TO220

IRF730 Yleiskatsaus

IRF730APBF on N-kanavainen tehostus-tilassa oleva Power MOSFET, jolla on alhainen portin varaus.

Parannettu portin, lumivyöryn ja dynaamisen dV/dt kestävyys

Täysin karakterisoitu kapasitanssi ja lumivyöryjännite ja -virta

Tehokas COSS määritelty

Yksinkertaiset ajo-vaatimukset

Sovellukset

Teollisuus, Tehonhallinta

Tuotetiedot

• Kanavatyyppi: N-kanava
• Lähteen ja viemärin jännite Vds: 400V
• Jatkuva viemärivirta Id: 5.5A
• Lähteen ja viemärin päällä oleva resistanssi: 1ohm
• Transistorin kotelotyyli: TO-220AB
• Transistorin asennus: Läpivienti
• Rds(on) Testijännite: 10V
• Portin ja lähteen kynnysjännite Max: 4.5V
• Tehon hajaantuminen: 74W
• Pinien määrä: 3Pin
• Käyttölämpötila Max: 150°C