« Takaisin

IRF 5305 P-Mosfet - -55, -31A, 110W, TO220AB
IRF530

IRF 530 P-Mosfet – -55, -31A, 110W, TO220

€2.00 sis. ALV25.5%

Heti varastosta
Tuotetunnus (SKU): IRF530 Osastot: , , Avainsana tuotteelle

IRF530 on yksittäinen P-kanavainen HEXFET-teho-MOSFET, joka on koteloitu TO-220-koteloon. Transistori tarjoaa erittäin pienen kanavan resistanssin, nopeat kytkentäominaisuudet ja suuren luotettavuuden. Se soveltuu monipuolisesti teollisiin ja kulutuselektroniikan käyttökohteisiin, joissa vaaditaan tehokasta kytkentää.

Ominaisuuksia:

  • Lähde-viemärijännite (V<sub>DS</sub>): -55 V
  • Portti-lähdejännite (V<sub>GS</sub>): ±20 V
  • R<sub>DS(on)</sub> = 60 mΩ @ V<sub>GS</sub> = -10 V
  • Tehohäviö: 110 W (25 °C)
  • Jatkuva viemärivirta: -31 A (25 °C)
  • Liitinkotelointi: TO-220
  • Liitäntä: Through Hole

Tekniset tiedot (taulukko)

OminaisuusArvo
KanavatyyppiP-kanava
Jatkuva virta (I<sub>D</sub>)31 A
KotelotyyppiTO-220
Testijännite R<sub>DS(on)</sub>10 V
Kanavan resistanssi R<sub>DS(on)</sub>0,06 Ω
Lähde-viemärijännite V<sub>DS</sub>55 V
Portti-lähdejännitteen raja-arvo4 V
Tehohäviö110 W
Nastoja3
AsennustapaLäpiladottava (Through Hole)
Käyttölämpötila maksimi175 °C
Tuotesarja–
SVHCEi SVHC (21.1.2025)
0
    0
    Ostoskori
    Ostoskorisi on tyhjäPalaa kauppaan
    Jatka ostoksia